70V639S12BFI8

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Spezifikation

Artikelnummer

70V639S12BFI8
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

70V639S12BFI8.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

12ns
Spannungsversorgung

3.15 V ~ 3.45 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

208-CABGA (15x15)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

208-LFBGA
Andere Namen

IDT70V639S12BFI8
IDT70V639S12BFI8-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2.25Mb (128K x 18) Parallel 12ns 208-CABGA (15x15)
Basisteilenummer

IDT70V639
Zugriffszeit

12ns

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Das Folgende sind "70V639S12BFI8" -Einziper.

70V639S12BCI

Beschreibung: IC SRAM 2.25M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

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