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36624470V657S10BC-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

70V657S10BC

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    70V657S10BC
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    10ns
  • Spannungsversorgung
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    256-CABGA (17x17)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    256-LBGA
  • Andere Namen
    IDT70V657S10BC
    IDT70V657S10BC-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 10ns 256-CABGA (17x17)
  • Basisteilenummer
    IDT70V657
  • Zugriffszeit
    10ns
70V639S15PRF

70V639S15PRF

Beschreibung: IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
70V657S12BC8

70V657S12BC8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
70V657S10DRG8

70V657S10DRG8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
70V639S15BF

70V639S15BF

Beschreibung: IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
70V639S15BF8

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Beschreibung: IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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70V657S10BC8

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Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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70V657S10BFG8

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Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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70V639S12PRFI8

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Beschreibung: IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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70V657S12BC

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Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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70V657S10DRG

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Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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70V639S12PRF

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Beschreibung: IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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70V657S10DR

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Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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70V639S12PRFI

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Beschreibung: IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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70V639S12BFI

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Beschreibung: IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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70V639S12PRF8

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Beschreibung: IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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70V657S10BFG

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Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

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Beschreibung: IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

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Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

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