70V657S10BCG

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Spezifikation

Artikelnummer

70V657S10BCG
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.70V657S10BCG.pdf
2.70V657S10BCG.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

10ns
Spannungsversorgung

3.15 V ~ 3.45 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

256-CABGA (17x17)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

256-LBGA
Andere Namen

IDT70V657S10BCG
IDT70V657S10BCG-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

4 (72 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 10ns 256-CABGA (17x17)
Basisteilenummer

IDT70V657
Zugriffszeit

10ns

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Das Folgende sind "70V657S10BCG" -Einziper.

70V657S12BC8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

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