70V659S12DRI

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Spezifikation

Artikelnummer

70V659S12DRI
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.70V659S12DRI.pdf
2.70V659S12DRI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

12ns
Spannungsversorgung

3.15 V ~ 3.45 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

208-PQFP (28x28)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

208-BFQFP
Andere Namen

IDT70V659S12DRI
IDT70V659S12DRI-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28)
Basisteilenummer

IDT70V659
Zugriffszeit

12ns

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "70V659S12DRI" -Einziper.

70V659S12BFI8

Beschreibung: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V659S12DRI

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