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60619747164S20DB-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

7164S20DB

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    7164S20DB
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    20ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    28-CerDip
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    28-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • Andere Namen
    IDT7164S20DB
    IDT7164S20DB-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 125°C (TA)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    64Kb (8K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 20ns 28-CerDip
  • Zugriffszeit
    20ns
7164L45DB

7164L45DB

Beschreibung: IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
7164S20YG

7164S20YG

Beschreibung: IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

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7164S20TPG

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Beschreibung: IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

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7164L70DB

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7164S20YGI

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7164L55DB

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7164S20TDB

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Beschreibung: IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

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7164S20TPGI

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7164S100DB

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Beschreibung: IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

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7164S25DB

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Beschreibung: IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

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7164L85DB

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7164L55TDB

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7164S25TPG

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7164L85TDB

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Beschreibung: IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

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7164S20YGI8

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7164S25TDB

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7164L45TDB

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7164L35TDB

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7164L70TDB

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7164S20YG8

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