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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > 71V124SA12YG8
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422764571V124SA12YG8-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

71V124SA12YG8

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    71V124SA12YG8
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    12ns
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    32-SOJ
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Andere Namen
    800-2274-1
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Mb (128K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 12ns 32-SOJ
  • Basisteilenummer
    IDT71V124
  • Zugriffszeit
    12ns
71V124SA12YGI8

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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71V124SA12PHGI8

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

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71V124SA15TYGI8

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

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71V124SA12TYG

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71V124SA12YG

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71V124SA15TYG

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71V124SA12YGI

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71V124SA15TYGI

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71V124SA10YG8

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