ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S16100F-6BLI

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Spezifikation

Artikelnummer

IS42S16100F-6BLI
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS42S16100F-6BLI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

60-TFBGA (6.4x10.1)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

60-TFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 166MHz 5.5ns 60-TFBGA (6.4x10.1)
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5.5ns

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Das Folgende sind "IS42S16100F-6BLI" -Einziper.

IS42S16100F-5TL

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS42S16100F-6BLI

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