ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S32800G-7BL

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Spezifikation

Artikelnummer

IS42S32800G-7BL
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS42S32800G-7BL.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

90-TFBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

90-TFBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Mb (8M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
Uhrfrequenz

143MHz
Zugriffszeit

5.4ns

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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Beschreibung: IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90BGA

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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