ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S32800G-7BLI-TR

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Spezifikation

Artikelnummer

IS42S32800G-7BLI-TR
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS42S32800G-7BLI-TR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

90-TFBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

90-TFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Mb (8M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
Uhrfrequenz

143MHz
Zugriffszeit

5.4ns

Das Folgende sind "IS42S32800G-7BLI-TR" -Einziper.

IS42S32800J-6TLI-TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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IS42S32800J-6BLI-TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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IS42S32800G-6BL

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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IS42S32800G-7BL

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IS42S32800J-75EBL-TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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IS42S32800J-6TLI

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32800G-7BI-TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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IS42S32800G-6BLI

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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IS42S32800J-6TL-TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32800G-7BL-TR

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