ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S32800J-75EBL

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Spezifikation

Artikelnummer

IS42S32800J-75EBL
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS42S32800J-75EBL.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

90-TFBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

90-TFBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Mb (8M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 133MHz 6ns 90-TFBGA (8x13)
Uhrfrequenz

133MHz
Zugriffszeit

6ns

Das Folgende sind "IS42S32800J-75EBL" -Einziper.

IS42S32800J-6TLI-TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32800J-6BL

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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IS42S32800J-7BL

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IS42S32800J-75ETLI-TR

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IS42S32800J-75ETL

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IS42S32800G-7BLI

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IS42S32800J-6TLI

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