ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43LR32200B-6BLI-TR

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Spezifikation

Artikelnummer

IS43LR32200B-6BLI-TR
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS43LR32200B-6BLI-TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR
Supplier Device-Gehäuse

90-TFBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

90-TFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

64Mb (2M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA (8x13)
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5.5ns

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Das Folgende sind "IS43LR32200B-6BLI-TR" -Einziper.

IS43LR32160B-6BLI

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS43LR32200B-6BLI-TR

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