1122070

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS45S32200E-7TLA1-TR

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Spezifikation

Artikelnummer

IS45S32200E-7TLA1-TR
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.IS45S32200E-7TLA1-TR.pdf
2.IS45S32200E-7TLA1-TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

86-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

2 (1 Year)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

64Mb (2M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 143MHz 5.5ns 86-TSOP II
Uhrfrequenz

143MHz
Zugriffszeit

5.5ns

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Das Folgende sind "IS45S32200E-7TLA1-TR" -Einziper.

IS45S32200E-7TLA2-TR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS45S32200E-7TLA1-TR

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