ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS46R16320E-5BLA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IS46R16320E-5BLA1
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS46R16320E-5BLA1.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

2.3 V ~ 2.7 V
Technologie

SDRAM - DDR
Supplier Device-Gehäuse

60-TFBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

60-TFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
Uhrfrequenz

200MHz
Zugriffszeit

700ps

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Zahlungsmittel

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Das Folgende sind "IS46R16320E-5BLA1" -Einziper.

IS46R16320E-5TLA1

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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IS46R16320E-5BLA1

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