ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61DDP2B21M18A-400M3L

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Spezifikation

Artikelnummer

IS61DDP2B21M18A-400M3L
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS61DDP2B21M18A-400M3L.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.71 V ~ 1.89 V
Technologie

SRAM - Synchronous, DDR IIP
Supplier Device-Gehäuse

165-LFBGA (15x17)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

165-LBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous, DDR IIP Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 400MHz 165-LFBGA (15x17)
Uhrfrequenz

400MHz

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Das Folgende sind "IS61DDP2B21M18A-400M3L" -Einziper.

IS61DDP2B44M18A-400M3L

Beschreibung: IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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IS61DDP2B21M18A-400M3L

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