IS61LPS25636A-200TQ2I-TR

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Spezifikation

Artikelnummer

IS61LPS25636A-200TQ2I-TR
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.IS61LPS25636A-200TQ2I-TR.pdf
2.IS61LPS25636A-200TQ2I-TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3.135 V ~ 3.465 V
Technologie

SRAM - Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

100-TQFP (14x20)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

100-LQFP
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

2 (1 Year)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 100-TQFP (14x20)
Uhrfrequenz

200MHz
Zugriffszeit

3.1ns

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Das Folgende sind "IS61LPS25636A-200TQ2I-TR" -Einziper.

IS61LPS25636A-200B3I-TR

Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS61LPS25636A-200TQ2I-TR

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