ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61LPS51236A-250B3-TR

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Spezifikation

Artikelnummer

IS61LPS51236A-250B3-TR
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.IS61LPS51236A-250B3-TR.pdf
2.IS61LPS51236A-250B3-TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3.135 V ~ 3.465 V
Technologie

SRAM - Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

165-TFBGA (13x15)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

165-TBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

2 (1 Year)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 250MHz 2.6ns 165-TFBGA (13x15)
Uhrfrequenz

250MHz
Zugriffszeit

2.6ns

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IS61LPS51236A-250B3

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS61LPS51236A-250B3-TR

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