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4733181IS61LV6416-12KL-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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  • Artikelnummer
    IS61LV6416-12KL
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1.IS61LV6416-12KL.pdf
    2.IS61LV6416-12KL.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    12ns
  • Spannungsversorgung
    3.135 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-SOJ
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Mb (64K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 12ns 44-SOJ
  • Zugriffszeit
    12ns

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

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IS61LV6416-8TL

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

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