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4490710IS61LV6416-8KL-TR-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61LV6416-8KL-TR

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  • Artikelnummer
    IS61LV6416-8KL-TR
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.IS61LV6416-8KL-TR.pdf
    2.IS61LV6416-8KL-TR.pdf
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    8ns
  • Spannungsversorgung
    3.135 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-SOJ
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Mb (64K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 8ns 44-SOJ
  • Zugriffszeit
    8ns

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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

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