IS61NLP25672-250B1

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Spezifikation

Artikelnummer

IS61NLP25672-250B1
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS61NLP25672-250B1.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3.135 V ~ 3.465 V
Technologie

SRAM - Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

209-LFBGA (14x22)
Serie

-
Verpackung / Gehäuse

209-BGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

18Mb (256K x 72)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (256K x 72) Parallel 250MHz 2.6ns 209-LFBGA (14x22)
Uhrfrequenz

250MHz
Zugriffszeit

2.6ns

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Zahlungsmittel

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "IS61NLP25672-250B1" -Einziper.

IS61NLP25636B-200B3LI

Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS61NLP25672-250B1

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