IS64WV2568EDBLL-10CTLA3

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Spezifikation

Artikelnummer

IS64WV2568EDBLL-10CTLA3
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS64WV2568EDBLL-10CTLA3.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

10ns
Spannungsversorgung

2.4 V ~ 3.6 V
Technologie

SRAM - Asynchronous
Serie

-
Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

2Mb (256K x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 10ns
Zugriffszeit

10ns

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Das Folgende sind "IS64WV2568EDBLL-10CTLA3" -Einziper.

IS64WV25616EDBLL-10BLA3

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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IS64WV2568EDBLL-10CTLA3

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