ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS65WV25616DBLL-55CTLA3

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Spezifikation

Artikelnummer

IS65WV25616DBLL-55CTLA3
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS65WV25616DBLL-55CTLA3.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

55ns
Spannungsversorgung

2.3 V ~ 3.6 V
Technologie

SRAM - Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

44-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

4Mb (256K x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 55ns 44-TSOP II
Zugriffszeit

55ns

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Das Folgende sind "IS65WV25616DBLL-55CTLA3" -Einziper.

IS65WV25616BLL-70TLA3-TR

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS65WV25616DBLL-55CTLA3

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