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3650942IXDH35N60BD1-Bild.IXYS Corporation

IXDH35N60BD1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IXDH35N60BD1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 60A 250W TO247AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 35A
  • Testbedingung
    300V, 35A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    -
  • Schaltenergie
    1.6mJ (on), 800µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247AD (IXDH)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    40ns
  • Leistung - max
    250W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-3P-3 Full Pack
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • Gate-Ladung
    120nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT NPT 600V 60A 250W Through Hole TO-247AD (IXDH)
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    70A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    60A
  • Basisteilenummer
    IXD*35N60
IXDI409CI

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vorrätig
IXDI402SIA

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vorrätig
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vorrätig
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vorrätig
IXDH20N120D1

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IXDH35N60B

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IXDI404SI

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IXDF604SITR

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IXDH20N120

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Beschreibung: IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

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vorrätig
IXDH30N120D1

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Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
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Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
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Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXDF604PI

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Beschreibung:

Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division
vorrätig
IXDH30N120

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Beschreibung: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Hersteller: IXYS Corporation
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IXDI404SI-16

IXDI404SI-16

Beschreibung: IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC

Hersteller: IXYS Corporation
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