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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXFN220N20X3

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3789233

IXFN220N20X3-Bild.

IXYS Corporation

IXFN220N20X3

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Spezifikation

Artikelnummer

IXFN220N20X3
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXFN220N20X3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-227B
Serie

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2 mOhm @ 110A, 10V
Verlustleistung (max)

390W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

204nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 160A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

160A (Tc)

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Das Folgende sind "IXFN220N20X3" -Einziper.

IXFN24N90Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN20N120

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN200N07

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN200N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

Hersteller: IXYS

vorrätig

IXFN21N100Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN210N30P3

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN25N90

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN240N25X3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN24N100F

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

Hersteller: IXYS RF

vorrätig

IXFN20N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN180N25T

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN230N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN23N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN24N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN230N20T

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN260N17T

Beschreibung: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN240N15T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN210N30X3

Beschreibung: FET N-CHANNEL

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN180N20

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN210N20P

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

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