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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXFN24N100F

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IXFN24N100F-Bild.

IXYS RF

IXFN24N100F

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Spezifikation

Artikelnummer

IXFN24N100F
Hersteller / Marke

IXYS RF
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXFN24N100F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-227B
Serie

HiPerRF™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

390 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)

600W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1000V 24A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

24A (Tc)

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Das Folgende sind "IXFN24N100F" -Einziper.

IXFN240N15T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN24N90Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN260N17T

Beschreibung: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN26N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN24N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN230N20T

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN27N80Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN220N20X3

Beschreibung: 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN26N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN27N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN26N90

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN280N085

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN23N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN280N07

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN25N90

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN210N30P3

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN21N100Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN210N30X3

Beschreibung: FET N-CHANNEL

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN240N25X3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN230N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

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