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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXTA182N055T

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2734095

IXTA182N055T-Bild.

IXYS Corporation

IXTA182N055T

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Spezifikation

Artikelnummer

IXTA182N055T
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 182A TO-263
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXTA182N055T.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263 (IXTA)
Serie

TrenchMV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

360W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4850pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

114nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 55V 182A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

182A (Tc)

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Das Folgende sind "IXTA182N055T" -Einziper.

IXTA160N085T

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 160A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA182N055T7

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA180N055T

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 180A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1R4N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA160N10T7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA180N10T7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA180N085T

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 180A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA180N085T7

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA180N10T

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1R4N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA170N075T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 170A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N200P3HV

Beschreibung: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA160N10T

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 160A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N170DHV

Beschreibung: MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA18P10T

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA16N50P

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

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