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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXTA1R4N100P

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586181

IXTA1R4N100P-Bild.

IXYS Corporation

IXTA1R4N100P

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vorrätig

50+

$2.30

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Spezifikation

Artikelnummer

IXTA1R4N100P
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXTA1R4N100P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263 (IXTA)
Serie

Polar™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

63W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.8nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1000V 1.4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.4A (Tc)

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Das Folgende sind "IXTA1R4N100P" -Einziper.

IXTA1N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA182N055T7

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA200N075T7

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1R6N100D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA200N075T

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N170DHV

Beschreibung: MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N200P3HV

Beschreibung: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA182N055T

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA180N10T7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA200N085T

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA18P10T

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA20N65X

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 20A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1R4N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1R6N50D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA200N055T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 200A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA200N085T7

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7

Hersteller: IXYS Corporation

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