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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXTT12N150

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5449246

IXTT12N150-Bild.

IXYS Corporation

IXTT12N150

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Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

30+

$11.063

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

IXTT12N150
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXTT12N150.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-268
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)

890W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3720pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

106nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1500V 12A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Tc)

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Das Folgende sind "IXTT12N150" -Einziper.

IXTT16N20D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 16A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT120N15P

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 120A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT10N100D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT110N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 110A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT10N100D

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT12N140

Beschreibung: MOSFET N-CH 1400V 12A TO268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT16P60P

Beschreibung: MOSFET P-CH 600V 16A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT10P50

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 10A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT110N10L2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 110A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT10P60

Beschreibung: MOSFET P-CH 600V 10A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT16N10D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT1N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT12N150HV

Beschreibung: MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT140N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT170N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT16P20

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 16A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT16N50D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT11P50

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 11A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT140P10T

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 140A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT100N25P

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 100A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

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