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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXTT140N10P

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1082452

IXTT140N10P-Bild.

IXYS Corporation

IXTT140N10P

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Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

IXTT140N10P
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXTT140N10P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-268
Serie

PolarHT™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 70A, 10V
Verlustleistung (max)

600W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

155nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V, 15V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 140A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

140A (Tc)

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Das Folgende sind "IXTT140N10P" -Einziper.

IXTT10P50

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 10A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT12N150

Beschreibung: MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT110N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 110A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT16P60P

Beschreibung: MOSFET P-CH 600V 16A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT110N10L2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 110A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT16P20

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 16A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT170N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT140P10T

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 140A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT11P50

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 11A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT120N15P

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 120A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT12N150HV

Beschreibung: MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT1N250HV

Beschreibung: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT16N20D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 16A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT10N100D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT1N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT16N50D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT1N300P3HV

Beschreibung: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT16N10D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT10P60

Beschreibung: MOSFET P-CH 600V 10A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT12N140

Beschreibung: MOSFET N-CH 1400V 12A TO268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

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