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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXTT24P20

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5929456

IXTT24P20-Bild.

IXYS Corporation

IXTT24P20

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Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

30+

$8.511

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

IXTT24P20
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 200V 24A TO-268
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXTT24P20.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-268
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

300W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 200V 24A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

24A (Tc)

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Das Folgende sind "IXTT24P20" -Einziper.

IXTT20N50D

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT1N450HV

Beschreibung: MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT30N60L2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT170N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT26N50P

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT30N50L2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT1N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT2N300P3HV

Beschreibung: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT30N60P

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT26N60P

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT2N170D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT16N50D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT1N250HV

Beschreibung: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT30N50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT1N300P3HV

Beschreibung: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT16P60P

Beschreibung: MOSFET P-CH 600V 16A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT16P20

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 16A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT34N65X2HV

IXTT34N65X2HV

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT30N50P

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT20P50P

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 20A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

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