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1507093IXTT26N60P-Bild.IXYS Corporation

IXTT26N60P

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IXTT26N60P
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-268
  • Serie
    PolarHV™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    270 mOhm @ 500mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    460W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4150pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 26A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    26A (Tc)
IXTT20N50D

IXTT20N50D

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT30N50L

IXTT30N50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT1N450HV

IXTT1N450HV

Beschreibung: MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT34N65X2HV

IXTT34N65X2HV

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT1N250HV

IXTT1N250HV

Beschreibung: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT24P20

IXTT24P20

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 24A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT1N100

IXTT1N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT20P50P

IXTT20P50P

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 20A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT2N300P3HV

IXTT2N300P3HV

Beschreibung: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT30N60P

IXTT30N60P

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT1N300P3HV

IXTT1N300P3HV

Beschreibung: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT16P60P

IXTT16P60P

Beschreibung: MOSFET P-CH 600V 16A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT360N055T2

IXTT360N055T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 360A TO268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT36N50P

IXTT36N50P

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT170N10P

IXTT170N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT30N60L2

IXTT30N60L2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT30N50L2

IXTT30N50L2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT2N170D2

IXTT2N170D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT26N50P

IXTT26N50P

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT30N50P

IXTT30N50P

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

Hersteller: IXYS Corporation
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