Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXTT50P10
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
596824IXTT50P10-Bild.IXYS Corporation

IXTT50P10

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
30+
$8.157
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IXTT50P10
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-268
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 25A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    300W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4350pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    140nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 100V 50A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    50A (Tc)
IXTT440N055T2

IXTT440N055T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 440A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT72N20

IXTT72N20

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 72A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT75N10

IXTT75N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 75A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT69N30P

IXTT69N30P

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 69A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT50P085

IXTT50P085

Beschreibung: MOSFET P-CH 85V 50A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT36P10

IXTT36P10

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 36A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT36N50P

IXTT36N50P

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT68P20T

IXTT68P20T

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 68A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT40N50L2

IXTT40N50L2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 40A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT48P20P

IXTT48P20P

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 48A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT60N10

IXTT60N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT500N04T2

IXTT500N04T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 500A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT60N20L2

IXTT60N20L2

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 60A TO268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT4N150HV

IXTT4N150HV

Beschreibung: MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT74N20P

IXTT74N20P

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 74A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT52N30P

IXTT52N30P

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 52A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT64N25P

IXTT64N25P

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 64A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT3N200P3HV

IXTT3N200P3HV

Beschreibung: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT440N04T4HV

IXTT440N04T4HV

Beschreibung: 40V/440A TRENCHT4 PWR MOSFET TO-

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTT6N120

IXTT6N120

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden