Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXTY1N80
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2198926

IXTY1N80

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
70+
$2.30
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IXTY1N80
  • Hersteller / Marke
    IXYS / Littelfuse
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IXTY1N80.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252AA
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 Ohm @ 500mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    40W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    220pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    800V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 800V 750mA (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    750mA (Tc)

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "IXTY1N80" -Einziper.
IXTY1N80P

IXTY1N80P

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1N120P

IXTY1N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1R6N50P

IXTY1R6N50P

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY12N06TTRL

IXTY12N06TTRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 12A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1R4N60P TRL

IXTY1R4N60P TRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1R4N120PHV

IXTY1R4N120PHV

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY24N15T

IXTY24N15T

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 24A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY08N120P

IXTY08N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY18P10T

IXTY18P10T

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 18A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1R4N60P

IXTY1R4N60P

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY08N50D2

IXTY08N50D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY15N20T

IXTY15N20T

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 15A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY10P15T

IXTY10P15T

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 10A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY15P15T

IXTY15P15T

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 15A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1R4N100P

IXTY1R4N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1N100P

IXTY1N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1R4N120P

IXTY1R4N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY12N06T

IXTY12N06T

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 12A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.