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IXTY1R4N100P

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IXTY1R4N100P
  • Hersteller / Marke
    IXYS / Littelfuse
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IXTY1R4N100P.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252, (D-Pak)
  • Serie
    Polar™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 Ohm @ 500mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    63W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    450pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17.8nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1000V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 1000V 1.4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1.4A (Tc)

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Das Folgende sind "IXTY1R4N100P" -Einziper.
IXTY1N120P

IXTY1N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY24N15T

IXTY24N15T

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 24A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY12N06T

IXTY12N06T

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 12A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY12N06TTRL

IXTY12N06TTRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 12A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1R4N60P TRL

IXTY1R4N60P TRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY15P15T

IXTY15P15T

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 15A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY10P15T

IXTY10P15T

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 10A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY18P10T

IXTY18P10T

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 18A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1R4N120PHV

IXTY1R4N120PHV

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1R4N60P

IXTY1R4N60P

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY15N20T

IXTY15N20T

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 15A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1N100P

IXTY1N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
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IXTY2N100P

IXTY2N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
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IXTY26P10T

IXTY26P10T

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 26A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1N80

IXTY1N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1R4N120P

IXTY1R4N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY1R6N50P

IXTY1R6N50P

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Hersteller: IXYS Corporation
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IXTY1N80P

IXTY1N80P

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1A TO-252

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