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MDO1201-22N1

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vorrätig
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MDO1201-22N1
  • Hersteller / Marke
    IXYS / Littelfuse
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE MODULE 2.2KV 1950A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.MDO1201-22N1.pdf
    2.MDO1201-22N1.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1950A
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    Module
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    MDO1201-22N1
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 2200V (2.2kV) 1950A Chassis Mount
  • Diodenkonfiguration
    70µA @ 2200V
  • Beschreibung
    DIODE MODULE 2.2KV 1950A
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.15V @ 3400A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    2200V (2.2kV)

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Das Folgende sind "MDO1201-22N1" -Einziper.
MDO500-14N1

MDO500-14N1

Beschreibung: DIODE MODULE 1.4KV 560A Y1-CU

Hersteller: IXYS
vorrätig
RFQ
MDO500-12N1

MDO500-12N1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 560A Y1-CU

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
MDO1200-18N1

MDO1200-18N1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.8KV Y1-CU

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
S15MCHR7G

S15MCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 15A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MDO500-20N1

MDO500-20N1

Beschreibung: DIODE MODULE 2KV 560A Y1-CU

Hersteller: IXYS
vorrätig
RFQ
RS1KFSHMWG

RS1KFSHMWG

Beschreibung: DIODE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MDO1200-22N1

MDO1200-22N1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV Y1-CU

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
MDO1200-20N1

MDO1200-20N1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2KV Y1-CU

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
MDO500-16N1

MDO500-16N1

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6KV 560A Y1-CU

Hersteller: IXYS
vorrätig
RFQ
MDO1200-14N1

MDO1200-14N1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV Y1-CU

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
PMEG4010ESBZ

PMEG4010ESBZ

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DSN1006-2

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
MDO1200-16N1

MDO1200-16N1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV Y1-CU

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
MDO600-16N1

MDO600-16N1

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6KV 608A

Hersteller: IXYS
vorrätig
RFQ
MDO500-22N1

MDO500-22N1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 560A Y1-CU

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
PMEG060V050EPDZ

PMEG060V050EPDZ

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 5A CFP15

Hersteller: Nexperia USA Inc.
vorrätig
RFQ
VS-302UR60A

VS-302UR60A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 300A DO9

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
EM 2BV0

EM 2BV0

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
MDO500-18N1

MDO500-18N1

Beschreibung: DIODE MODULE 1.8KV 560A Y1-CU

Hersteller: IXYS
vorrätig
RFQ
SR502HR0G

SR502HR0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RMPG06K-E3/73

RMPG06K-E3/73

Beschreibung: DIODE GPP 1A 800V 250NS MPG06

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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