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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > MEO450-12DA
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5040781MEO450-12DA-Bild.IXYS Corporation

MEO450-12DA

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vorrätig
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$79.48
10+
$74.664
25+
$71.292
100+
$67.438
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MEO450-12DA
  • Hersteller / Marke
    IXYS / Littelfuse
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.2KV 453A Y4-M6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MEO450-12DA.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.96V @ 520A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Y4-M6
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    500ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Y4-M6
  • Andere Namen
    MEO45012DA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1200V 453A Chassis Mount Y4-M6
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    24mA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    453A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Zahlung
Das Folgende sind "MEO450-12DA" -Einziper.
HER306G R0G

HER306G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5394-TP

1N5394-TP

Beschreibung: DIODE GPP 1.5A DO-15

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
PR1007G-T

PR1007G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
LFUSCD10120A

LFUSCD10120A

Beschreibung: DIODE SC SCHOTKY 1200V 10A TO220

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
SF21G A0G

SF21G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HER108G R1G

HER108G R1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S15KLWHRVG

S15KLWHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MBRS230LT3

MBRS230LT3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SMB

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FESF8JT-E3/45

FESF8JT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1JFS MXG

RS1JFS MXG

Beschreibung: DIODE, FAST, 1A, 600V

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MBR1660

MBR1660

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5821-TP

1N5821-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
SK13-TP (SMB5818)

SK13-TP (SMB5818)

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
JANTX1N6621

JANTX1N6621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
GP2D005A065C

GP2D005A065C

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO252

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
DSS15UTR

DSS15UTR

Beschreibung: SCHOTTKY 50V SOD-123FL

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
MEO500-06DA

MEO500-06DA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 514A Y4-M6

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RS2DHE3_A/I

RS2DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RO 2

RO 2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
MEO550-02DA

MEO550-02DA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
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