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2327389RS1JFS MXG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JFS MXG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1JFS MXG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE, FAST, 1A, 600V
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    RS1JFS MXG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-128
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    250ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-128
  • Andere Namen
    RS1JFSMXG
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount SOD-128
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    7pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "RS1JFS MXG" -Einziper.
RS1JFA

RS1JFA

Beschreibung: DIODE GP 600V 800MA SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1JB-13-F

RS1JB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1JDFQ-13

RS1JDFQ-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1JHM2G

RS1JHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JHE3/5AT

RS1JHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1JFSHMXG

RS1JFSHMXG

Beschreibung: DIODE, FAST, 1A, 600V

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1JB-13

RS1JB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1JFS MWG

RS1JFS MWG

Beschreibung: DIODE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JL M2G

RS1JL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JHR3G

RS1JHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JDF-13

RS1JDF-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1JFSHMWG

RS1JFSHMWG

Beschreibung: DIODE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JL MHG

RS1JL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1J-M3/5AT

RS1J-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1J/1

RS1J/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1JFP

RS1JFP

Beschreibung: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1J-M3/61T

RS1J-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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