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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > T-TD1R4N60P 11
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T-TD1R4N60P 11

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    T-TD1R4N60P 11
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    -
  • Technologie
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    -
  • Verlustleistung (max)
    -
  • Verpackung / Gehäuse
    -
  • Andere Namen
    T-TD1R4N60P11
  • Betriebstemperatur
    -
  • Befestigungsart
    -
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ FET
    -
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    -
  • detaillierte Beschreibung
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    -
IPA045N10N3GXKSA1

IPA045N10N3GXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IRF7483MTRPBF

IRF7483MTRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 135A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
FCH165N60E

FCH165N60E

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
IRFU320PBF

IRFU320PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 3.1A I-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RJK6011DJE-00#Z0

RJK6011DJE-00#Z0

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
SPI100N08S2-07

SPI100N08S2-07

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IRFBC40ASTRRPBF

IRFBC40ASTRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SUD25N15-52-T4-E3

SUD25N15-52-T4-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 25A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
FQD1N80TF

FQD1N80TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IXTY4N65X2

IXTY4N65X2

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
TP2522N8-G

TP2522N8-G

Beschreibung: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
BSC040N08NS5ATMA1

BSC040N08NS5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD90N06S4L06ATMA1

IPD90N06S4L06ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
FCB260N65S3

FCB260N65S3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 260MOHM D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMFS5C670NLT1G

NTMFS5C670NLT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 68A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
HAT2099H-EL-E

HAT2099H-EL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
PSMN1R6-30MLHX

PSMN1R6-30MLHX

Beschreibung: PSMN1R6-30MLH/SOT1210/MLFPAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
IRFR120TRLPBF

IRFR120TRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
TPCA8128,LQ(CM

TPCA8128,LQ(CM

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig

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