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HAT2099H-EL-E-Bild.

Renesas Electronics America

HAT2099H-EL-E

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Spezifikation

Artikelnummer

HAT2099H-EL-E
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

HAT2099H-EL-E.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

LFPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

30W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-100, SOT-669
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4750pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 50A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

50A (Ta)

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