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53188BA892H6433XTMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

BA892H6433XTMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BA892H6433XTMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE RF SW 35V 100MA SCD80
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BA892H6433XTMA1.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    35V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SCD-80
  • Serie
    -
  • Widerstand @ If, F
    500 mOhm @ 10mA, 100MHz
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-80
  • Andere Namen
    BA 892 H6433
    BA 892 H6433-ND
    BA892H6433XTMA1TR
    SP000734328
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard - Single
  • detaillierte Beschreibung
    RF Diode Standard - Single 35V 100mA SCD-80
  • Strom - Max
    100mA
  • Kapazität @ Vr, F
    1.1pF @ 3V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    BA892

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Das Folgende sind "BA892H6433XTMA1" -Einziper.
BA82902YFV-CE2

BA82902YFV-CE2

Beschreibung: AUTOMOTIVE INTEGRATED EMI FILTER

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BA82902YFVJ-CE2

BA82902YFVJ-CE2

Beschreibung: AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BA89502VH6327XTSA1

BA89502VH6327XTSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP SC79-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BA885E6327HTSA1

BA885E6327HTSA1

Beschreibung: DIODE RF SW 50V 50MA SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BA89202VH6433XTMA1

BA89202VH6433XTMA1

Beschreibung: DIODE RF SW 35V 100MA SC79

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BA885E7631HTMA1

BA885E7631HTMA1

Beschreibung: DIODE RF SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BA82902YFJ-CE2

BA82902YFJ-CE2

Beschreibung: AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BA892H6770XTSA1

BA892H6770XTSA1

Beschreibung: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BA82904YF-CE2

BA82904YF-CE2

Beschreibung: AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BA892H6127XTSA1

BA892H6127XTSA1

Beschreibung: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BA895H6327XTSA1

BA895H6327XTSA1

Beschreibung: DIODE RF SW 50V 50MA SCD80

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BA8391G-TR

BA8391G-TR

Beschreibung: IC COMPARATOR OPEN 5-SSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BA89202VH6327XTSA1

BA89202VH6327XTSA1

Beschreibung: DIODE RF SW 35V 100MA SC79

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BA8522RF-E2

BA8522RF-E2

Beschreibung: IC OPAMP GP 6MHZ 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BA89202VH6127XTSA1

BA89202VH6127XTSA1

Beschreibung: DIODE RF SW 35V 100MA SC79

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BA892H6327XTSA1

BA892H6327XTSA1

Beschreibung: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BA8522RFV-E2

BA8522RFV-E2

Beschreibung: IC OPAMP GP 6MHZ 8SSOPB

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BA82904YFVM-CTR

BA82904YFVM-CTR

Beschreibung: EXCELLENT EMI CHARACTERISTICS GR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BA891,115

BA891,115

Beschreibung: DIODE SWITCH BAND 35V SOD-523

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
BA8522RFVM-TR

BA8522RFVM-TR

Beschreibung: IC OPAMP GP 6MHZ 8MSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
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