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1922010

BA89502VH6327XTSA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BA89502VH6327XTSA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP SC79-2
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • ECAD -Modell
  • Serie
    *
  • Andere Namen
    SP001179590
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    RF Diode
BA8522RF-E2

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Beschreibung: IC OPAMP GP 6MHZ 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
BA82904YFVM-CTR

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Beschreibung: EXCELLENT EMI CHARACTERISTICS GR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
BA892H6433XTMA1

BA892H6433XTMA1

Beschreibung: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BA895H6327XTSA1

BA895H6327XTSA1

Beschreibung: DIODE RF SW 50V 50MA SCD80

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BA8391G-TR

BA8391G-TR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
BA82902YFV-CE2

BA82902YFV-CE2

Beschreibung: AUTOMOTIVE INTEGRATED EMI FILTER

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
BA885E7631HTMA1

BA885E7631HTMA1

Beschreibung: DIODE RF SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BA891,115

BA891,115

Beschreibung: DIODE SWITCH BAND 35V SOD-523

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BA8522RFVM-TR

BA8522RFVM-TR

Beschreibung: IC OPAMP GP 6MHZ 8MSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
BA89202VH6327XTSA1

BA89202VH6327XTSA1

Beschreibung: DIODE RF SW 35V 100MA SC79

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BA82902YFJ-CE2

BA82902YFJ-CE2

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
BA885E6327HTSA1

BA885E6327HTSA1

Beschreibung: DIODE RF SW 50V 50MA SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BA89202VH6433XTMA1

BA89202VH6433XTMA1

Beschreibung: DIODE RF SW 35V 100MA SC79

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BA82904YF-CE2

BA82904YF-CE2

Beschreibung: AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
BA82902YFVJ-CE2

BA82902YFVJ-CE2

Beschreibung: AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
BA892H6770XTSA1

BA892H6770XTSA1

Beschreibung: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BA89202VH6127XTSA1

BA89202VH6127XTSA1

Beschreibung:

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BA892H6127XTSA1

BA892H6127XTSA1

Beschreibung: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BA8522RFV-E2

BA8522RFV-E2

Beschreibung: IC OPAMP GP 6MHZ 8SSOPB

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
BA892H6327XTSA1

BA892H6327XTSA1

Beschreibung: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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