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BAS16E6433HTMA1

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vorrätig
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$0.024
30000+
$0.021
50000+
$0.019
100000+
$0.018
250000+
$0.016
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAS16E6433HTMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BAS16E6433HTMA1.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 150mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    80V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    BAS 16 E6433
    BAS 16 E6433-ND
    BAS 16 E6433TR-ND
    BAS16E6433
    BAS16E6433BTMA1
    BAS16E6433HTMA1TR
    BAS16E6433XT
    SP000010201
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 80V 250mA (DC) Surface Mount SOT-23-3
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 75V
  • Strom - Richt (Io)
    250mA (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    BAS16

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Das Folgende sind "BAS16E6433HTMA1" -Einziper.
BAS16E6327HTSA1

BAS16E6327HTSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS16HTW-13

BAS16HTW-13

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16HT1

BAS16HT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16E6393HTSA1

BAS16E6393HTSA1

Beschreibung: DIODE GP 80V 250MA SOT23-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS16DXV6T1

BAS16DXV6T1

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16D-G3-18

BAS16D-G3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS16DXV6T5G

BAS16DXV6T5G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16HLP-7

BAS16HLP-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16HMFHT116

BAS16HMFHT116

Beschreibung: HIGH RELIABILITY AND SMALL MOLD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16DXV6T5

BAS16DXV6T5

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16GWJ

BAS16GWJ

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16HT1G

BAS16HT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16H,115

BAS16H,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16HT1G

BAS16HT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 200MA SOD323

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16D-G3-08

BAS16D-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS16D-HE3-18

BAS16D-HE3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS16GWX

BAS16GWX

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16D-HE3-08

BAS16D-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS16DXV6T1G

BAS16DXV6T1G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16HT3G

BAS16HT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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