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227255BAS16HT1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BAS16HT1G

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30000+
$0.017
75000+
$0.015
150000+
$0.013
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAS16HT1G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BAS16HT1G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 150mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-323
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    6ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-76, SOD-323
  • Andere Namen
    BAS16HT1G-ND
    BAS16HT1GOSTR
    BAS16HT1GTR
    BAS16HT1GTR-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    27 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SOD-323
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    BAS16H

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Das Folgende sind "BAS16HT1G" -Einziper.
BAS16LP-7

BAS16LP-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16E6433HTMA1

BAS16E6433HTMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS16LD,315

BAS16LD,315

Beschreibung: DIODE GP 100V 215MA SOD882D

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16J,115

BAS16J,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16HT3G

BAS16HT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16HTWQ-13R

BAS16HTWQ-13R

Beschreibung: DIODE FS 100V 200MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16HTWQ-13

BAS16HTWQ-13

Beschreibung: DIODE FS 100V 200MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16HT1

BAS16HT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16E6393HTSA1

BAS16E6393HTSA1

Beschreibung: DIODE GP 80V 250MA SOT23-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS16GWJ

BAS16GWJ

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16E6327HTSA1

BAS16E6327HTSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS16HLP-7

BAS16HLP-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16DXV6T5G

BAS16DXV6T5G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16J,135

BAS16J,135

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16L,315

BAS16L,315

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD882

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16HT1G

BAS16HT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 200MA SOD323

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16HMFHT116

BAS16HMFHT116

Beschreibung: HIGH RELIABILITY AND SMALL MOLD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16HTW-13

BAS16HTW-13

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16H,115

BAS16H,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16GWX

BAS16GWX

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123

Hersteller: Nexperia
vorrätig
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