International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC042NE7NS3GATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSC042NE7NS3GATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSC042NE7NS3GATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.8V @ 91µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 125W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSC042NE7NS3 GDKR
BSC042NE7NS3 GDKR-ND
BSC042NE7NS3GATMA1DKR
BSC042NE7NS3GATMA1DKR-NDTR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 37.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

75V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 75V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

19A (Ta), 100A (Tc)

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Das Folgende sind "BSC042NE7NS3GATMA1" -Einziper.

BSC048N025S G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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