International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC052N08NS5ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSC052N08NS5ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSC052N08NS5ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.8V @ 49µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2 mOhm @ 47.5A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 83W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSC052N08NS5ATMA1-ND
BSC052N08NS5ATMA1TR
SP001232632
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 95A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

95A (Tc)

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Das Folgende sind "BSC052N08NS5ATMA1" -Einziper.

BSC050NE2LSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BSC052N08NS5ATMA1

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