International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC050N03MSGATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSC050N03MSGATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSC050N03MSGATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 50W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSC050N03MS G
BSC050N03MSG
BSC050N03MSGATMA1TR
BSC050N03MSGINTR
BSC050N03MSGINTR-ND
BSC050N03MSGXT
SP000311507
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 16A (Ta), 80A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16A (Ta), 80A (Tc)

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Das Folgende sind "BSC050N03MSGATMA1" -Einziper.

BSC057N03LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC050N03MSGATMA1

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