International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP149L6327HTSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSP149L6327HTSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSP149L6327HTSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 400µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-SOT223-4
Serie

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Verlustleistung (max)

1.8W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-261-4, TO-261AA
Andere Namen

BSP149 L6327
BSP149 L6327-ND
BSP149L6327HTSA1TR
BSP149L6327INTR
BSP149L6327INTR-ND
BSP149L6327XT
SP000089214
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Depletion Mode
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

660mA (Ta)

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Das Folgende sind "BSP149L6327HTSA1" -Einziper.

BSP149 E6327

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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