International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP170PE6327T

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Spezifikation

Artikelnummer

BSP170PE6327T
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSP170PE6327T.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-SOT223-4
Serie

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

300 mOhm @ 1.9A, 10V
Verlustleistung (max)

1.8W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-261-4, TO-261AA
Andere Namen

BSP170PE6327XTINTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.9A (Ta)

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Das Folgende sind "BSP170PE6327T" -Einziper.

BSP171PE6327T

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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