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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > D911SH45T
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D911SH45T

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    D911SH45T
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 4.5KV 1140A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    D911SH45T.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    6V @ 2500A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    4500V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-200AD
  • Andere Namen
    SP000091218
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    0°C ~ 140°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 4500V 1140A Chassis Mount
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100mA @ 4500V
  • Strom - Richt (Io)
    1140A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "D911SH45T" -Einziper.
SJPL-L4V

SJPL-L4V

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A SJP

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
RS1K-M3/61T

RS1K-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
STTH15RQ06WY

STTH15RQ06WY

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A DO247

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STPS1045D

STPS1045D

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220AC

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
GL41T-E3/97

GL41T-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RGP02-16E-M3/54

RGP02-16E-M3/54

Beschreibung: DIODE 0.5A 1600V 300NS DO-204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
SS14-6600HE3_A/H

SS14-6600HE3_A/H

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4444-1

1N4444-1

Beschreibung: DIODE SWITCHING

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
CLH07(TE16R,Q)

CLH07(TE16R,Q)

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 5A L-FLAT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HS2GA M2G

HS2GA M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MBR1H100SFT3G

MBR1H100SFT3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSA300I45NA

DSA300I45NA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 300A SOT227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
VS-20ETF02STRR-M3

VS-20ETF02STRR-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 20A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1ALHRHG

RS1ALHRHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BYWF29-50-E3/45

BYWF29-50-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A ITO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
HS1BL RHG

HS1BL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5818RL

1N5818RL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
RMPG06BHE3_A/53

RMPG06BHE3_A/53

Beschreibung: DIODE GPP 1A 100V 150NS MPG06

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SF1603PT C0G

SF1603PT C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 16A TO247AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
STTA812D

STTA812D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
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