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2748657IDB12E120ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IDB12E120ATMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IDB12E120ATMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IDB12E120ATMA1.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.15V @ 12A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO263-3-2
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    IDB12E120
    IDB12E120-ND
    IDB12E120ATMA1TR
    SP000013640
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1200V 28A (DC) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    28A (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "IDB12E120ATMA1" -Einziper.
CGRMT4001-HF

CGRMT4001-HF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123H

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
IDB06S60CATMA2

IDB06S60CATMA2

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-3-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IDB15E60

IDB15E60

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IDB09E60ATMA1

IDB09E60ATMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IDB23E60ATMA1

IDB23E60ATMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IDB30E60ATMA1

IDB30E60ATMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IDB-12

IDB-12

Beschreibung: TOOL HAND CRIMPER DISCRETE TOP

Hersteller: JST
vorrätig
RFQ
IDB30E120ATMA1

IDB30E120ATMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IDB10S60C

IDB10S60C

Beschreibung: DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IDB06S60C

IDB06S60C

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
1N2131A

1N2131A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 60A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
IDB45E60ATMA1

IDB45E60ATMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
A451LB

A451LB

Beschreibung: DIODE MODULE 2.2KV 2500A DO200AC

Hersteller: Powerex Inc.
vorrätig
RFQ
IDB10S60CATMA2

IDB10S60CATMA2

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
VS-40EPF04PBF

VS-40EPF04PBF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 40A TO247AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
S5MC-13

S5MC-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
GURF5H60HE3/45

GURF5H60HE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A ITO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IDB15E60ATMA1

IDB15E60ATMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
1N3070

1N3070

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IDB18E120ATMA1

IDB18E120ATMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
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