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2976764IDB18E120ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IDB18E120ATMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IDB18E120ATMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.15V @ 18A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO263-3
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    195ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    IDB18E120
    IDB18E120-ND
    IDB18E120ATMA1TR
    SP000013919
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1200V 31A (DC) Surface Mount PG-TO263-3
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    31A (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    -
IDB23E60ATMA1

IDB23E60ATMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IDB06S60C

IDB06S60C

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IDB10S60CATMA2

IDB10S60CATMA2

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IDB09E60ATMA1

IDB09E60ATMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IDB10S60C

IDB10S60C

Beschreibung: DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
8ETX06STRL

8ETX06STRL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SRA830HC0G

SRA830HC0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
VS-15TQ060STRR-M3

VS-15TQ060STRR-M3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IDB15E60

IDB15E60

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RR264MM-400TR

RR264MM-400TR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DSA15IM45IB

DSA15IM45IB

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO262

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
MR754G

MR754G

Beschreibung: DIODE GP 400V 6A MICRODE BUTTON

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
IDB12E120ATMA1

IDB12E120ATMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IDB06S60CATMA2

IDB06S60CATMA2

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-3-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
JANTX1N5552US

JANTX1N5552US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
IDB30E60ATMA1

IDB30E60ATMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IDB45E60ATMA1

IDB45E60ATMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IDB30E120ATMA1

IDB30E120ATMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IDB15E60ATMA1

IDB15E60ATMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IDB-12

IDB-12

Beschreibung: TOOL HAND CRIMPER DISCRETE TOP

Hersteller: JST
vorrätig

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